參數(shù)資料
型號： H8050
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： H8050
汕頭華汕電子器件有限公司
█ 主要用途
█ 外形圖及引腳排列
作便攜式收音機(jī)
B
類推挽輸出
2W
放大。
█
極限值
（
T
a
=25
℃）
█
電參數(shù)
（
T
a
=25
℃）
參數(shù)符號
符 號 說 明
最小值
典型值
最大值
單 位
測 試 條 件
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
BE(ON)
V
CE(sat）
V
BE(sat)
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
f
T
集電極—基極截止電流
發(fā)射極—基極截止電流
直流電流增益
基極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓
集電極—發(fā)射極飽和電壓
基極—發(fā)射極飽和電壓
集電極—基極擊穿電壓
集電極—發(fā)射極擊穿電壓
發(fā)射極—基極擊穿電壓
特征頻率
85
40
40
25
6
100
0.1
0.1
500
1
0.5
1.2
μA
μA
V
V
V
V
V
V
MHz
V
CB
=35V, I
E
=0
V
EB
=6V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=1V, I
C
=800mA
V
CE
=1V, I
C
=10mA
I
C
=800mA, I
B
=80mA
I
C
=800mA， I
B
=80mA
I
C
=100μA，I
E
=0
I
C
=2mA，I
B
=0
I
E
=100μA，I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=50mA
分檔及其標(biāo)志
B
C
D
E
85
—
160
120
—
200
160
—
300
270
—
500
N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R
H8050
T
stg
——貯存溫度…………………………………
-
55~150
℃
T
j
——結(jié)溫……………………………………………
150
℃
P
C
——集電極耗散功率…………………………………
1W
V
CBO
——集電極—基極電壓………………………………
40V
V
CEO
——集電極—發(fā)射極電壓……………………………
25V
V
EBO
——發(fā)射極—基極電壓………………………………
6V
I
C
——集電極電流………………………………………
1.5A
對應(yīng)國外型號
SS8050
1
―發(fā)射極，
E
2
―基
極，
B
3
―集電極，
C
TO-92
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PDF描述
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H8062-01 功能描述:IC 與器件插座 .8mm PC BOARD SOCKET TIN RoHS:否 制造商:Molex 產(chǎn)品:LGA Sockets 節(jié)距:1.02 mm 排數(shù): 位置/觸點數(shù)量:2011 觸點電鍍:Gold 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:Solder 插座/封裝類型:LGA 2011 工作溫度范圍:- 40 C to + 100 C
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