參數(shù)資料
型號： H5N3011P
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應晶體管高速電源開關
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： H5N3011P
H5N3011P
Rev.2.00, Aug.05.2004, page 5 of 6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
100
40
V
GS
= 0 V
10 V
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
R
D
Pulse Test
5
4
3
2
1
-25
0
50
100
150
25
125
75
0
Case Temperature Tc (
°
C)
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature
G
G
V
DS
= 10 V
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R
L
V
= 150 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
10
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Waveform
5 V
I
D
= 10 mA
1 mA
0.1 mA
20
60
80
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =T
ch – c(t) = s (t) ch – c
ch – c = 0.833
°
C/W, Tc = 25
°
C
θ
θ
Tc = 25
°
C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
Pulse Width PW (s)
N
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關PDF資料
PDF描述
H5N3011P-E Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
H5N5001FM Datasheet|ADE-208-1380|MAR.20.01|50K
H5N5004PL
H5N5005PL
H5N5006FM Datasheet|ADE-208-1112|MAR.20.01|50K
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