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參數(shù)資料
| 型號： | H5N2004DS |
| 英文描述： | Datasheet|ADE-208-1372|MAR.20.01|58K |
| 中文描述： | 技術(shù)資料|腺- 208 - 1372 | MAR.20.01 | 5.8萬 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | H5N2004DS |
H5N2004DL, H5N2004DS
4
Main Characteristics
40
30
20
10
0
50
100
150
200
30
10
3
1
0.3
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
10
8
6
4
2
0
4
8
12
16
20
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
0.03
0.01
100
Ta = 25
°
C
10 V
V = 5 V
5.5 V
Tc = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
μ
1ms
PW=10ms(1sho)
DCOpeaion(Tc=25
°
C
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
10
μ
s
6 V
8 V
6.5 V
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
V = 10 V
Pulse Test
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H5N2007FN | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2007FN-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2008P | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2305PF | Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching |
| H5N2305PF-E | Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| H5N2004DSTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2005DL | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2005DL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2005DS | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2005DSTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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