參數(shù)資料
型號： H11B815.W
英文描述： DARLINGTON-NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER
中文描述： 達林頓- npn型輸出DC -輸入光耦合器
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 362K
代理商： H11B815.W
6/14/02
Page 2 of 8
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
4-PIN PHOTODARLINGTON
OPTOCOUPLER
H11B815
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(No derating required up to 85
°
C)
Parameter
Symbol
Value
Units
TOTAL DEVICE
Storage Temperature
T
STG
-55 to +150
°
C
Operating Temperature
T
OPR
T
SOL
P
-55 to +100
°
C
Lead Solder Temperature
260 for 10 sec
°
C
Total Device Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C
D
250
mW
EMITTER
DC/Average Forward Input Current
I
F
80
mA
Reverse Input Voltage
V
R
6
V
Forward Current - Peak (1μs pulse, 300pps)
I
F
(pk)
1
A
LED Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C
P
D
140
mW
Derate above 25
°
C
DETECTOR
1.33
mW/
°
C
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
V
ECO
I
C
35
V
Emitter-Collector Voltage
6
V
Continuous Collector Current
200
mA
Detector Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C
P
D
200
mW
Derate above 25
°
C
2.0
mW/
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C Unless otherwise speci
fi
ed.)
INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS
Parameter
Test Conditions
Symbol
Min
Typ**
Max
Unit
EMITTER
Input Forward Voltage
(I
F
= 20 mA)
V
F
1.2
1.50
V
Reverse Leakage Current
(V
R
= 6.0 V)
I
R
0.001
10
μA
DETECTOR
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mA, I
F
= 0)
BV
CEO
35
60
V
Emitter-Collector Breakdown Voltage
(I
E
= 100 μA, I
F
= 0)
BV
ECO
6
8
V
Collector-Emitter Dark Current
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz)
= 10 V, I
F
= 0)
I
CEO
C
CE
0.005
1
μA
Capacitance
(V
CE
8
pF
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PDF描述
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