參數(shù)資料
型號： GSD2656
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： npn型外延晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： GSD2656
GSD2656
Page: 1/2
ISSUED DATE :2006/01/18
REVISED DATE :
G
G S
S D
D 22665566
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSD2656 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
:
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
:
Collector to Base Voltage
VCBO
30
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
30
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
1
A
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Electrical Characteristics (Ta = 25 : , unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
30
-
V
IC=10uA, IE=0
BVCEO
30
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
6
-
V
IE=10uA, IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=30V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=6V, IC=0
VCE(sat)
-
350
mV
IC=500mA, IB=25mA
*hFE
120
-
500
VCE=2V, IC=100mA
*fT
-
400
-
MHz
VCE=2V, IE=-100mA, f=100MHz
Cob
-
5
-
pF
VCB=10V, f=1MHz
*Pulsed Test
Classification Of hFE
Rank
EUC
EUD
EUE
Range
120 ~ 200
160 ~ 300
250 ~ 500
相關PDF資料
PDF描述
GSD882S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GSF1.1011.51 10A, 250V, MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER
GSF1.1122.51 10A, 250V, MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER
GSF1.1211.31 10A, 250V, MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER
GSF1.1211.51 10A, 250V, MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER
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參數(shù)描述
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GSD3TW-8820-TR 制造商:CSR 功能描述:FGIC GSD3TW 3.1X3.2 49WLCSP ROM1.5
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