參數(shù)資料
型號: GSC6680
廠商: GTM CORPORATION
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: N溝道增強型功率MOSFET
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 293K
代理商: GSC6680
GSC6680
Page: 4/5
ISSUED DATE :2005/06/27
REVISED DATE :2006/10/02C
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
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PDF描述
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GSC70DRST-S273 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:40 位置數(shù):80 卡厚度:0.031"(0.79mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點:- 安裝類型:通孔,直角 端子:焊接 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點類型::全波紋管 顏色:藍 包裝:管件 法蘭特點:頂部安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚對苯二甲酸丁二酯(PBT) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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