參數(shù)資料
型號： GS9013H
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： MOSFETs
英文描述： TRANSISTOR 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
中文描述： 小信號晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 18K
代理商： GS9013H
GS9013
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
2
Document Number 88196
10-May-02
Electrical Characteristics
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Current Gain Group D
V
CE
= 1V, I
C
= 50mA
64
78
96
112
144
—
—
—
—
—
91
112
135
166
202
E
F
G
H
DC Current Gain
h
FE
—
V
CE
= 1V, I
C
= 500mA
40
120
—
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
I
C
= 1mA, I
B
= 0
20
—
—
V
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
I
C
= 100μA, I
E
= 0
40
—
—
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
E
= 100μA, I
C
= 0
5
—
—
V
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
= 25V, I
E
= 0
—
—
100
nA
Emitter Cut-off Current
I
EBO
V
EB
= 3V, I
C
= 0
—
—
100
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
—
0.16
0.6
V
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
—
0.91
1.2
V
Base-Emitter ON Voltage
V
BE(on)
V
CE
= 1V, I
C
= 10mA
0.6
0.67
0.7
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS9014A BJT
GS9014B BJT
GS9012E TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
GS9012F TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
GS9012G TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS9013H/E6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
GS9013H/E7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
GS9014A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
GS9014A/E6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
GS9014A/E7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*