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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS882V36BGD-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 22/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 732K |
| 代理商： | GS882V36BGD-200I |
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GS882V18/36BB/D-333/300/250/200
Rev: 1.02 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
22/36
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS882V36BGD-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V36BGD-300 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V36BGD-300I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V36BGD-333 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS882V37BB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BGB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS882V37BGB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
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