參數(shù)資料
型號： GS88237AB-250I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 2 ns, PBGA119
封裝： PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 3/28頁
文件大?。?/td> 566K
代理商： GS88237AB-250I
GS88237AB-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 11/2004
3/28
2002, GSI Technology
GS88237A BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low (x36 Version)
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Linear Burst Order mode; active low
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
SCD
I
Single Cycle Deselect/Dual Cycle Deselect Mode Control
PE
I
Parity Bit Enable; active low (High = x16/32 Mode, Low = x18/36 Mode)
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control
(Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low Drive])
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
Scan Test Clock
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
V
DDQ
/DNU
—
V
DDQ
or V
DD
(must be tied high)
or
Do Not Use (must be left floating)
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PDF描述
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GS88237BB-200V 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM
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參數(shù)描述
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