參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E36T-100I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 9/34頁(yè)
文件大?。?/td> 487K
代理商： GS881E36T-100I
Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
Byte Write Truth Table
Notes:
1.
2.
3.
4.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C,
and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS881E36T-11 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
GS881E36T-11.5 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
GS881E36T-11.5I 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
GS881E36T-11I 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
GS881E36T-66 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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