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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E36BT-150I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 35/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 815K |
| 代理商： | GS881E36BT-150I |
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GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04a 3/2009
5/39
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
A
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
I/O
Data Input and Output pins
NC
—
No Connect
BW
I
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
BA, BB, BC, BD
I
Byte Write Enable for DQ Data I/Os; active low
NC
—
No Connect
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E2
I
Chip Enable; active high
E1
I
Chip Enable; active low
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS881E36BT-250 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-250I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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