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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS881E36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 8Mb（256K x 36Bit)ByteSafe Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 36位）ByteSafe同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 8MB的（256 × 36Bit）ByteSafe同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（800萬位（256K × 36位）ByteSafe同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 18/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 467K |
| 代理商： | GS881E36 |
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Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
18/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tStH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2
C
& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–A
n
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
E
1
tS tH
E
2
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
Deselected with E
2
G
tS tH
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
Hi-Z
tS tH
E
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS881Z18BD-150IV | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS881Z18BD-150V | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS881Z18BD-200IV | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS881E36AD-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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