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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS881E18T-100I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 14/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | GS881E18T-100I |
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Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
14/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
= 3.3 V)
Note: These parameters are sample tested.
Package Thermal Characteristics
Notes:
1.
Junction temperature is a function of SRAM power dissipation, package thermal resistance, mounting board temperature, ambient. Temper-
ature air flow, board density, and PCB thermal resistance.
SCMI G-38-87
Average thermal resistance between die and top surface, MIL SPEC-883, Method 1012.1
2.
3.
Parameter
Symbol
C
IN
C
I/O
Test conditions
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
4
5
pF
Input/Output Capacitance
6
7
pF
Rating
Layer Board
Symbol
R
Θ
JA
R
Θ
JA
R
Θ
JC
Max
Unit
°
C/W
Notes
Junction to Ambient (at 200 lfm)
single
40
1,2
Junction to Ambient (at 200 lfm)
four
24
°
C/W
1,2
Junction to Case (TOP)
—
9
°
C/W
3
20% tKC
V
SS
– 2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 2.0 V
50%
V
DD
V
IL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18T-11 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11.5 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11.5I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-66 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18T-11 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11.5 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11.5I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-66 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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