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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS881E18BT-333 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 4.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/39頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 815K |
| 代理商： | GS881E18BT-333 |
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GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04a 3/2009
4/39
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS881E36B 100-Pin TQFP Pinout (Package T)
Note:
Pins marked with NC can be tied to either VDD or VSS. These pins can also be left floating.
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DQD
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VDDQ
DQB
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VDDQ
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DQA
VSS
VDDQ
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B
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BW
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V
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AD
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ADV
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256K x 36
Top View
DQB
DQPB
DQB
DQA
DQPA
DQC
DQD
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DQC
DQPC
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TMS
TD
I
TD
O
TCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18BT-333I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E32BD-150 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E32BD-150I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E32BD-200 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E32BD-200I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18BT-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS881E18T | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
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