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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS881E18BGT-200IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 9/36頁 |
| 文件大小： | 771K |
| 代理商： | GS881E18BGT-200IV |
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GS881E18/32/36BD-xxxV 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Must Connect Low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
GS881E18/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2006, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18BGT-200V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250IV | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-250V | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36 | 8Mb（256K x 36Bit)ByteSafe Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 36位）ByteSafe同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS881Z18BT-200IV | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18BGT-200V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-2300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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