參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E18AT-133IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 22/37頁(yè)
文件大?。?/td> 662K
代理商： GS881E18AT-133IT
GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
14/29
2001, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
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PDF描述
GS881E18AT-133T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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GS881E18AT-150IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AT-150T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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