參數(shù)資料
型號: GS88136BT-250V
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁數(shù): 30/36頁
文件大?。?/td> 776K
代理商: GS88136BT-250V
GS88118/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
30/36
2006, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
TCK Cycle Time
TCK Low to TDO Valid
TCK High Pulse Width
TCK Low Pulse Width
TDI & TMS Set Up Time
TDI & TMS Hold Time
Symbol
tTKC
tTKQ
tTKH
tTKL
tTS
tTH
Min
50
20
20
10
10
Max
20
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
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PDF描述
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