粗大的内捧猛烈进出在线视频,亚洲精品成人高潮在线观看视频

<li id="vi55f"></li>

您好，
買賣IC網(wǎng)歡迎您。
請(qǐng)登錄
免費(fèi)注冊(cè)

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385339 > GS88136BD-250I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載

參數(shù)資料

型號(hào)：	GS88136BD-250I
廠商：	GSI TECHNOLOGY
元件分類：	DRAM
英文描述：	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述：	256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165
封裝：	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)：	21/39頁(yè)
文件大小：	791K
代理商：	GS88136BD-250I

AC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

-333

-300

-250

-200

-150

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Pipeline

Clock Cycle Time

tKC

3.0

—

3.3

—

4.0

—

5.0

—

6.7

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ

1

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Setup time

tS

1.0

—

1.0

—

1.2

—

1.4

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.1

—

0.1

—

0.2

—

0.4

—

0.5

—

ns

Flow

Through

Clock Cycle Time

tKC

4.5

—

5.0

—

5.5

—

6.5

—

7.5

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

4.5

—

5.0

—

5.5

—

6.5

—

7.5

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ

1

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

ns

Setup time

tS

1.3

—

1.4

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.3

—

0.4

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

ns

Clock HIGH Time

tKH

1.0

—

1.0

—

1.3

—

1.3

—

1.5

—

ns

Clock LOW Time

tKL

1.2

—

1.2

—

1.5

—

1.5

—

1.7

—

ns

Clock to Output in

High-Z

tHZ

1

1.5

2.5

1.5

2.5

1.5

2.5

1.5

3.0

1.5

3.0

ns

G to Output Valid

tOE

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

G to output in Low-Z

tOLZ

1

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

ns

G to output in High-Z

tOHZ

1

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

ZZ setup time

tZZS

2

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

ns

ZZ hold time

tZZH

2

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

ns

ZZ recovery

tZZR

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

ns

GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)

Rev: 1.05 11/2005

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

21/39

2002, GSI Technology

Notes:

1.

2.

These parameters are sampled and are not 100% tested

ZZ is an asynchronous signal. However, In order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold

times as specified above.

相關(guān)PDF資料	PDF描述
GS88136BD-300	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-300I	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-250I	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-300	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BGD-300I	512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
GS88136BD-250IV	制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-250V	制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-300	制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-300I	制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS88136BD-333	制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs

發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

*型號(hào)	*數(shù)量	廠商	批號(hào)	封裝

添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*

*

*

<center id="rd2ia"></center>