參數(shù)資料
型號(hào)： GS864436E-250V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 7/32頁(yè)
文件大?。?/td> 811K
代理商： GS864436E-250V
Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
7/32
2003, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
, and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864418E-133IV 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-133V 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150I 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150IV 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS864436GB-150V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays
GS864436GB-200 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS864436GB-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS864436GB-200IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 72MBIT 2MX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
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