參數(shù)資料
型號(hào)： GS864418E-V
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 4米× 18，200萬(wàn)× 36 72Mb的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 27/32頁(yè)
文件大?。?/td> 811K
代理商： GS864418E-V
Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
27/32
2003, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864436E-133 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864436E-133I 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864436E-133IV 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864436E-133V 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864436E-150 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS864418GB-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS864418GB-200IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
GS864418GB-200V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
GS864436 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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