參數(shù)資料
型號(hào)： GS864418E-133IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 4M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 17/32頁
文件大?。?/td> 811K
代理商： GS864418E-133IV
Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
17/32
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864418E-133V 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150I 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150IV 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150V 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS864418E-133V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays
GS864418E-150I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-150V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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