參數(shù)資料
型號(hào)： GS8322V72C-200
廠(chǎng)商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 72 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 25/42頁(yè)
文件大小： 1038K
代理商： GS8322V72C-200
Preliminary
GS8322V18(B/E)/GS8322V36(B/E)/GS8322V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
25/42
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8322V72C-200I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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GS8322V72C-225I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS8322V72C-250 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS8322V72C-250I 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS8322Z18AB-200IV 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk
GS8322Z18AB-200V 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk
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