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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8321E32GE-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, BUMP, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/34頁(yè) |
| 文件大小： | 739K |
| 代理商： | GS8321E32GE-250I |
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GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
3/34
2003, GSI Technology
165 Bump BGA—x32 Common I/O—Top View (Package E)
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11 x 15 Bump BGA—15 mm x 17 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321E36E-133 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E36GE-225IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E18E-133IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E18E-133V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E18E-150IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321E32GE-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-250V | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E36AD-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321E36AD-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321E36AD-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
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