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參數(shù)資料
| 型號： | GS8321E32GE-225V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 32 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 31/31頁 |
| 文件大小： | 739K |
| 代理商： | GS8321E32GE-225V |
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36Mb Sync SRAM Datasheet Revision History
DS/DateRev. Code: Old;
New
Types of Changes
Format or Content
Page;Revisions;Reason
8321EVxx_r1
Creation of new datasheet
8321EVxx_r1;
8321EVxx_r1_01
Content
Added parity bit designators to x18 and x36 pinouts
Removed address pin numbers (except 0 and 1)
Corrected “E” package thickness to 1.4 mm
Updated format
Added variation information to package mechanical
8321EVxx_r1_01;
8321EVxx_r1_02
Content/Format
8321EVxx_r1_02;
8321EVxx_r1_03
Format
Pb-free information added
8321EVxx_r1_03;
8321EVxx_r1_04
Format
Updated entire document to reflect change in part
nomenclature
GS8321E18/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
31/31
2003, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321E32GE-250IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-250V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E36E-133IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E36E-133V | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E36E-150IV | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321E32GE-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E32GE-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E36AD-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
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