參數(shù)資料
型號(hào)： GS8321E32E-166I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 32 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, BUMP, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 20/34頁
文件大?。?/td> 739K
代理商： GS8321E32E-166I
GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
20/34
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8321E32E-200 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32E-200I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32E-225 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32E-225I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E32E-250 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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