參數資料
型號： GS8321E18E-225I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, BUMP, FPBGA-165
文件頁數： 28/34頁
文件大小： 739K
代理商： GS8321E18E-225I
GS8321E18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
28/34
2003, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關PDF資料
PDF描述
GS8321E18E-250 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E18E-250I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E18GE-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E18GE-133I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321E18GE-150 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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