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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8321E18E-133IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 739K |
| 代理商： | GS8321E18E-133IV |
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D
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–
An
LBO
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CK
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ADSP
GW
BW
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1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
NC
Parity
Compare
NC
Parity
Encode
36
4
36
36
4
32
Note: Only x36 version shown for simplicity.
0
36
36
D
Q
R
4
B
B
B
C
B
D
GS8321E18/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
6/31
2003, GSI Technology
GS8321E18/32/36E-xxxV Block Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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