參數(shù)資料
型號: GS8182T08GBD-167IT
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: SRAM
英文描述: 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
文件頁數(shù): 12/37頁
文件大?。?/td> 340K
代理商: GS8182T08GBD-167IT
Preliminary
GS8182T08/09/18/36BD-333/300/267/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 6/2007
2/37
2007, GSI Technology
512K x 36 SigmaCIO DDR-II SRAM—Top View
1234
56789
10
11
A
CQ
NC/SA
(144Mb)
NC/SA
(36Mb)
R/W
BW2
K
BW1
LD
SA
NC/SA
(72Mb)
CQ
B
NC
DQ27
DQ18
SA
BW3
KBW0
SA
NC/SA
(288Mb)
NC
DQ8
C
NC
DQ28
VSS
SA
SA0
SA
VSS
NC
DQ17
DQ7
D
NC
DQ29
DQ19
VSS
NC
DQ16
E
NC
DQ20
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ15
DQ6
F
NC
DQ30
DQ21
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ5
G
NC
DQ31
DQ22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ14
H
Doff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
NC
DQ32
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ13
DQ4
K
NC
DQ23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ12
DQ3
L
NC
DQ33
DQ24
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
M
NC
DQ34
VSS
NC
DQ11
DQ1
N
NC
DQ35
DQ25
VSS
SA
VSS
NC
DQ10
P
NC
DQ26
SA
C
SA
NC
DQ9
DQ0
R
TDO
TCK
SA
C
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—13 x 15 mm2 Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1. BW0 controls writes to DQ0:DQ8; BW1 controls writes to DQ9:DQ17; BW2 controls writes to DQ18:DQ26; BW3 controls writes to
DQ27:DQ35
相關PDF資料
PDF描述
GS82032AT-4I 64K X 32 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100
GS8342S36AE-200S 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS880Z18CT-250IVT 512K X 18 ZBT SRAM, QFP100
GSIB6A20 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
GT25C32-2UDLI-TR 4K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
GS8182T09BD-375 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 2M X 9 0.45NS 165FPBGA - Trays
GS8182T09BD-400 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 2M X 9 0.45NS 165FPBGA - Trays
GS8182T18BD-167 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.5NS 165FPBGA - Trays
GS8182T18BGD-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.45NS 165FPBGA - Trays
GS8182T19BD-435 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.45NS 165FPBGA - Trays