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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8170DW36AGC-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 17/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 766K |
| 代理商： | GS8170DW36AGC-300 |
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GS8170DW36/72AC-350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 4/2005
17/32
2003, GSI Technology
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DDQ
–2 uA
2 uA
—
ZQ, MCH, MCL, EP2, EP3
Pin Input Current
I
INM
V
IN
= 0 to V
DDQ
–50 uA
50 uA
—
Output Leakage Current
I
OL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DDQ
–2 uA
2 uA
—
Selectable Impedance Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Low Drive Output High Voltage
V
OHL
I
OHL
= –4 mA
V
DDQ
– 0.4 V
—
1
Low Drive Output Low Voltage
V
OLL
I
OLL
= 4 mA
—
0.4 V
1
High Drive Output High Voltage
V
OHH
I
OHH
= –8 mA
V
DDQ
– 0.4 V
—
2
High Drive Output Low Voltage
V
OLH
I
OLH
= 8 mA
—
0.4 V
2
Notes:
1.
2.
ZQ = 1; High Impedance output driver setting
ZQ = 0; Low Impedance output driver setting
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DW36AGC-300I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
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參數(shù)描述 |
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