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參數(shù)資料
| 型號： | GS8170DD36C-333I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb ヒ1x2Lp CMOS I/O Double Data Rate SigmaRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 16/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 537K |
| 代理商： | GS8170DD36C-333I |
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GS8170DD36C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.03 1/2005
16/29
2002, GSI Technology, Inc.
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DDQ
–2 uA
2 uA
—
ZQ, MCH, MCL, EP2, EP3
Pin Input Current
I
INM
V
IN
= 0 to V
DDQ
–50 uA
50 uA
—
Output Leakage Current
I
OL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DDQ
–2 uA
2 uA
—
Selectable Impedance Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Notes
Low Drive Output High Voltage
V
OHL
I
OHL
= –4 mA
V
DDQ
– 0.4 V
—
1
Low Drive Output Low Voltage
V
OLL
I
OLL
= 4 mA
—
0.4 V
1
High Drive Output High Voltage
V
OHH
I
OHH
= –8 mA
V
DDQ
– 0.4 V
—
2
High Drive Output Low Voltage
V
OLH
I
OLH
= 8 mA
—
0.4 V
2
Notes:
1.
2.
ZQ = 1; High Impedance output driver setting
ZQ = 0; Low Impedance output driver setting
Operating Currents
Parameter
Symbol
-333
-300
-250
-200
Test Conditions
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
Operating
Current
x36
I
DDP
(PL)
345 mA
355 mA
320 mA
330 mA
275 mA
285 mA
225 mA
235 mA
E1
≤
V
IL
Max.
tKHKH
≥
tKHKH Min.
All other inputs
V
IL
≥
V
IN
≥
V
IH
E1
≥
V
IH
Min. or
tKHKH
≥
tKHKH Min.
All other inputs
V
IL
≥
V
IN
≥
V
IH
E2 or E3 False
tKHKH
≥
tKHKH Min.
All other inputs
V
IL
≥
V
IN
≥
V
IH
Device Deselected
All inputs
V
SS
+ 0.10 V
≥
V
IN
≥
V
DD
– 0.10 V
Chip Disable
Current
x36
I
SB1
(PL)
75 mA
85 mA
70 mA
80 mA
65 mA
75 mA
60 mA
70 mA
Bank Deselect
Current
x36
I
SB2
(PL)
75 mA
85 mA
70 mA
80 mA
65 mA
75 mA
60 mA
70 mA
CMOS
Deselect
Current
I
DD3
45 mA
55 mA
45 mA
55 mA
45 mA
55 mA
45 mA
55 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DW36AC | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36AGC-333I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36AGC-350 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36AGC-350I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW72AC-250 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8170DW36AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AC-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
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