參數(shù)資料
型號(hào)： GS816236BGB-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝： ROHS COMPLIANT, FBGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 15/37頁(yè)
文件大?。?/td> 866K
代理商： GS816236BGB-200
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
15/37
2004, GSI Technology
50% tKC
V
SS
–
2.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
50% tKC
V
DD
+1.5 V
50%
V
DD
V
IL
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
C
IN
C
I/O
Test conditions
V
IN
= 0 V
V
OUT
= 0 V
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
4
5
pF
Input/Output Capacitance
6
7
pF
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.2 V
0.2 V
1 V/ns
V
DD
/2
V
DDQ
/2
Fig. 1
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Device is deselected as defined by the Truth Table.
3.
DQ
V
DDQ/2
50
30pF
*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
= 2.5 V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816236BGB-200I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BGB-250 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BGB-250I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BGD-150 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BGD-150I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS816236BGB-200IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS816236BGB-200V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS816236BGB-250 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 119FBGA - Trays
GS816236BGB-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 119FBGA - Trays
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