參數(shù)資料
型號： GS816218BGB-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝： ROHS COMPLIANT, FBGA-119
文件頁數(shù)： 20/37頁
文件大?。?/td> 866K
代理商： GS816218BGB-200I
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
20/37
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料
PDF描述
GS816218BGB-250 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGB-250I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGD-150I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGD-200 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGD-200I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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GS816218BGB-200V 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
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GS816218BGB-250I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 5.5NS/2.5NS 119FBGA - Trays
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