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參數資料
| 型號： | GS816118D |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數： | 10/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 945K |
| 代理商： | GS816118D |
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GS816118(T/D)/GS816132(D)/GS816136(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.13 11/2004
10/36
1999, GSI Technology
Mode Pin Functions
Note:
There are pull-up devices on the ZQ and FT pins and a pull-down device on the ZZ pin, so those input pins can be unconnected and the chip
will operate in the default states as specified in the above tables.
Burst Counter Sequences
BPR 1999.05.18
Mode Name
Pin Name
State
L
H
L
H or NC
L or NC
Function
Linear Burst
Interleaved Burst
Flow Through
Pipeline
Active
Standby, I
DD
= I
SB
Burst Order Control
LBO
Output Register Control
FT
Power Down Control
ZZ
H
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Linear Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
00
01
01
10
10
11
11
00
1st address
2nd address
3rd address
4th address
10
11
00
01
11
00
01
10
Interleaved Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
00
01
01
00
10
11
11
10
1st address
2nd address
3rd address
4th address
10
11
00
01
11
10
01
00
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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