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參數(shù)資料
| 型號： | GS71024U-12T |
| 英文描述： | x24 SRAM |
| 中文描述： | x24的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 260K |
| 代理商： | GS71024U-12T |
Rev: 1.03 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
9/13
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS71024T/U
Write Cycle 1: WE control
Write Cycle 2: CE control
t
WC
Address
CE1
(*1)
V/S
WE
Data In
OE
Data Out
t
AW
t
CW
t
VW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WLZ
t
WHZ
Data valid
High impedance
(*2)
(*3)
(*3)
t
VS
*1 CE1 represents both CE1 low and CE2 high.
*2 Write is executed when both CE1 and WE are at low simultaneously.
*3 Do not apply the data input voltage to the output while DQ pin is in output condition.
t
WC
Address
CE1
(*1)
V/S
WE
Data In
OE
Data Out
t
AW
t
WP
t
AS
t
CW
t
WR1
t
DW
t
DH
Data valid
High impedance
t
VW
*1 CE1 represents both CE1 low and CE2 high.
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PDF描述 |
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