參數(shù)資料
型號： GS1K-L
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
封裝： SMAJ, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： GS1K-L
1
10
100
6
12
18
24
30
36
Figure 3
Maximum Overload Surge Current
-65
°C to +175°C
Peak Forward Current - Amperes versus
Number of Cycles at 60Hz
Amps
Cycles
Figure 6
New SMA Assembly
Round Lead
GS1A-L thru GS1M-L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8161Z36D-200I 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
GS8161Z36T-166T 512K X 36 ZBT SRAM, 7 ns, PQFP100
GS8182S18BD-300IT 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS8182S18BD-250I 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS8182S18BD-300I 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
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參數(shù)描述
GS1K-LTP 功能描述:整流器 800V,1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
GS1K-T 功能描述:整流器 standard 1.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
GS1K-T1 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
GS1K-T3 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE
GS1K-TP 功能描述:整流器 standard 1.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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