參數(shù)資料
型號(hào): GP1S51VJ000F
廠商: Sharp Microelectronics
文件頁(yè)數(shù): 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
描述: SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
產(chǎn)品變化通告: Internal Chip Change 04/May/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 100
檢測(cè)距離: 0.118"(3mm)
檢測(cè)方法: 可傳導(dǎo)的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 35V
響應(yīng)時(shí)間: 3µs,4µs
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 散裝
類型: 無(wú)放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 2776 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 425-1970-5
8
Sheet No.: D3-A02401EN
GP1S51VJ000F
?SPAN class="pst GP1S51VJ000F_2587080_4">Design Considerations
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Design guide
1) Prevention of detection error
To prevent photointerrupter from faulty operation caused by external light, do not set the detecting face to
the external light.
2) Position of opaque board
Opaque board shall be installed at place 4mm or more from the top of elements.
(Example)
 
4mm or more
This product is not designed against irradiation and incorporates non-coherent IRED.
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Degradation
In general, the emission of the IRED used in photocouplers will degrade over time.
In the case of long term operation, please take the general IRED degradation (50% degradation over 5
years) into the design consideration.
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Parts
This product is assembled using the below parts.
  " Photodetector (qty. : 1)
Category
Material
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Phototransistor   Silicon (Si)
800
400 to 1 200
3
  " Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
  " Material
Case
Lead frame plating
Black NORYL resin    Solder dip. (Sn3Ag0.5Cu)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GP1S52VJ000F SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
GP1S53VJ000F SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU
GP1S560J000F SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
GP1S56TJ000F SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
GP1S58VJ000F SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GP1S52 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
GP1S522 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic
GP1S525V 功能描述:PHOTOINTERRUPT HORIZ SLOT PCB RoHS:否 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"(1.6mm) 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5
GP1S525VJ00F 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:PHOTOINTERRUPTER HORZ SLIT WIDTH - Bulk
GP1S525XJ00F 功能描述:SENSOR OPTO SLOT 5MM TRANS THRU RoHS:是 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 檢測(cè)距離:0.063"(1.6mm) 檢測(cè)方法:可傳導(dǎo)的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)(最大):20mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):35V 響應(yīng)時(shí)間:35µs,35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無(wú)放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5