參數(shù)資料
型號： GMZJ9.1BT/R
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 8.79 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, GLASS, MICROMELF-2
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： GMZJ9.1BT/R
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STAD-SEP.14.2004
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相關PDF資料
PDF描述
GP202 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
GP2L09A POSITION, LINEAR SENSOR-DIFFUSE, 1-1mm, 0.50-1.90mA, RECTANGULAR, THROUGH HOLE MOUNT
GPA-017S GPS ANTENNA WITH LOW NOISE AMPLIFIER
GQZ10AT/R7 9.36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
GQZ11BT/R7 10.78 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
GN00120R00FB1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 20ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN00120R00FE1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 20ohms 1% 1watt RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN0012R000FB1253 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 2ohms 1% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN00142R20AB1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 42.2ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
GN001536R0AB1280 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 1watt 536ohms 0.05% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數(shù):200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產(chǎn)品:Power Resistors Wirewound High Energy
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