參數(shù)資料
型號： GM71S4400CT-60
廠商： LG Corp.
英文描述： Single Output LDO, 400mA, Fixed(5.0V), Low Noise, Fast Transient Response 5-SOT-23 -40 to 85
中文描述： 1,048,576字× 4位的CMOS動態(tài)隨機存儲器
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 104K
代理商： GM71S4400CT-60
LG Semicon
GM71C(S)4400C/CL
Read- Modify-Write Cycle
Symbol
Parameter
Note
Max
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
Read-Modify-Write Cycle Time
150
-
180
-
200
-
ns
RAS to WE Delay Time
80
-
95
-
105
-
ns
CAS to WE Delay Time
35
-
45
-
45
-
ns
Column Address to WE Delay Time
50
-
60
-
65
-
ns
10
10
10
6
OE Hold Time from WE
15
-
20
-
20
-
ns
Refresh Cycle
Symbol
Parameter
Note
Max
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
t
CSR
CAS Set-up Time
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)
10
-
10
-
10
-
ns
t
CHR
CAS Hold Time
(CAS-before-RAS Refresh Cycle)
10
-
10
-
10
-
ns
t
RPC
t
CPN
RAS Precharge to CAS Hold Time
10
-
10
-
10
-
ns
CAS Precharge Time in Normal Mode
10
-
10
-
10
-
ns
Fast Page Mode Cycle
Symbol
Parameter
Note
Max
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
t
PC
t
CP
t
RASP
t
ACP
t
RHCP
t
CPW
Fast Page Mode Cycle Time
40
-
45
-
50
-
ns
Fast Page Mode CAS Precharge Time
100,000
100,000
100,000
ns
Fast Page Mode RAS Pulse Width
-
35
-
40
-
45
ns
Access Time from CAS Precharge
ns
RAS Hold Time from CAS Precharge
35
-
40
-
45
-
ns
12
3,13,17
10
10
10
-
-
-
-
-
-
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
CAS Precharge to WE Delay Time
55
-
65
-
70
-
ns
t
PRWC
Fast Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Time
80
-
95
-
100
-
ns
10
GM71C(S)4400
C/CL-60
GM71C(S)4400
C/CL-70
GM71C(S)4400
C/CL-80
GM71C(S)4400
C/CL-60
GM71C(S)4400
C/CL-70
GM71C(S)4400
C/CL-80
GM71C(S)4400
C/CL-60
GM71C(S)4400
C/CL-70
GM71C(S)4400
C/CL-80
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GM71S4400CT-70 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
GM71S4400CT-80 30-mA Switched-Cap DC-DC Converter with fixed 2.5-V Output 6-SOT-23 -40 to 85
GM71C4400CJ-60 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
GM71S4400CJ-60 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
GM71C4400CJ-70 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
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GM71V18160CT-6 制造商:Hynix Semi 功能描述:
GM71VS16163CLT-60 制造商:Logical Devices 功能描述:
GM71VS18163CLT-6 制造商:HYUNDAI 功能描述:1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44
GM71VS18163CLT-60 制造商:Hyundai 功能描述:
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