參數(shù)資料
型號： GFB70N03
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
中文描述： N溝道增強型MOSFET
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： GFB70N03
36
35
37
39
40
38
--50
--25
25
50
75
100
125
0
Fig. 10 – Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
150
ID = 250
A
BV
DSS
-
-Breakdown
V
oltage
(V)
TJ -- Junction Temperature (
°C)
Fig. 13 – Maximum Safe Operating Area
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
I D
-
-Drain
Current
(A)
VDS -- Drain-Source Voltage (V)
Fig. 11 – Thermal Impedance
R
Θ
JA
(norm)
-
-Normalized
Thermal
Impedance
Pulse Duration (sec.)
Single Pulse
0.001
0.0001
0.01
0.1
0
0.1
1
10
100
1000
10
100
200
400
600
800
1000
110
Fig. 12 – Power vs. Pulse Duration
Power
(W)
Pulse Duration (sec.)
Single Pulse
R
θJC = 2.0°C/W
TC = 25°C
VGS = 10V
Single Pulse
RΘJC = 2.0 C/W
TC = 25
°C
RDS
(ON)
Limit
100
s
1ms
10ms
DC
D = 0.5
0.2
0.1
t1
t2
PDM
1. Duty Cycle, D = t1/t2
2. R
θJC (t) = RθJC(norm) *RθJC
3. R
θJC = 2.0°C/W
4. TJ - TC = PDM * R
θJC (t)
0.05
100ms
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
GFB70N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關PDF資料
PDF描述
GFSH109F3N/AA 19 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER
GFSH624F4B 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER
GFSH624F4H-PA688 30 CONTACT(S), FEMALE, POWER CONNECTOR, SOLDER
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GFSH624M4B 30 CONTACT(S), MALE, POWER CONNECTOR, SOLDER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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GFB75N03 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
GFB75N03\31B 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
GFBF20ALLA 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:20A 125V FACELESS LED GFCI, AL
GFBF20BKLA 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:20A 125V FACELESS LED GFCI, BK
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