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參數(shù)資料
| 型號： | G5SBA20/72-E3 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | G5SBA20/72-E3 |
G5SBA20, G5SBA60 & G5SBA80
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88608
Revision: 15-Dec-08
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3
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
0.4
0.6
Instantaneo
u
s For
w
ard
V
oltage (
V
)
0.
8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
100
I
u
s
w
a
u
r
T
J
= 25 °C
P
u
lse
W
idth = 300
μ
s
1 % D
u
ty Cycle
0
20
40
60
8
0
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Re
v
erse
V
oltage (%)
I
u
s
v
e
u
r
μ
A
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
10
100
1000
Re
v
erse
V
oltage (
V
)
J
u
n
T
= 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig
= 50 m
V
p-p
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
t - Heating Time (s)
T
W
)
Case Type GBU
Polarity sho
w
n on front side of case, positi
v
e lead
b
y
b
e
v
eled corner
0.125 (3.2) x 45°
Chamfer
0.0
8
5 (2.16)
0.065 (1.65)
0.020 R (TYP.)
0.
88
0 (22.3)
0.
8
60 (21.
8
)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
(0..
0.0
8
0(2.03)
0.060 (1.52)
0.050 (1.27)
0.040 (1.02)
0.0
8
0 (2.03)
0.065 (1.65)
0.210 (5.33)
0.190 (4.
8
3)
0.140 (3.56)
0.130 (3.30)
9° TYP.
5° TYP.
0.0
8
5 (2.16)
0.075 (1.90)
0.026 (0.66)
0.020 (0.51)
0.310 (7.9)
0.290 (7.4)
0.740 (1
8
.
8
)
0.720 (1
8
.3)
0.710 (1
8
.0)
0.690 (17.5)
0.100 (2.54)
0.0
8
5 (2.16)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| G62B | Optoelectronic |
| G6890-128 | LINEAR CCD IMAGE ARRAY |
| G6890-256 | LINEAR CCD IMAGE ARRAY |
| G6891-128 | LINEAR CCD IMAGE ARRAY |
| G6891-256 | LINEAR CCD IMAGE ARRAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| G5SBA20-E3/45 | 功能描述:橋式整流器 6.0 Amp 200 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| G5SBA20-E3/51 | 功能描述:橋式整流器 200 Volt 6.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| G5SBA20L/22 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:RECTFR BRIDGE SGL 200V 2.8A 4PIN CASE GBU - Bulk |
| G5SBA20L/45 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:6A,200V,GPP,INLINE BRIDGE - Rail/Tube |
| G5SBA20L-E3/45 | 功能描述:橋式整流器 6.0 Amp 200 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
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