GB02SHT06-46

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操作

GB02SHT06-46
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

GB02SHT06-46
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
250
GENESIC S
BULK
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
DIODE SCHOTTKY 600V 4A
制造商
genesic semiconductor
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
二極管類型
碳化硅肖特基
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
600V
電流 - 平均整流（Io）
4A（DC）
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.6V @ 1A
速度
無恢復時間 > 500mA（Io）
反向恢復時間（trr）
0ns
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
5μA @ 600V
不同?Vr，F(xiàn) 時的電容
76pF @ 1V，1MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-206AB，TO-46-3 金屬罐
供應商器件封裝
TO-46
工作溫度 - 結(jié)
-55°C ~ 225°C
標準包裝
200

GB02SHT06-46 技術參數(shù)

GB02SHT03-46 功能描述:DIODE SCHOTTKY 300V 4A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 300V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:76pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 225°C 標準包裝:200 GB02SHT01-46 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 4A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:4A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.6V @ 1A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:76pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AB，TO-46-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-46 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 225°C 標準包裝:200 GB01SLT12-252 功能描述:DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 1A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:69pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 基本零件編號:GB01SLT12 標準包裝:1 GB01SLT12-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 1A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:69pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:50 GB01SLT12-214 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:69pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB（DO-214AA）工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 GB0503PFV1-8 B1837.GN GB0504ADB1-8 GB0504ADB2-8 GB0504ADV1-8.B2471.F.GN GB0504ADV1-8.B2471.GN GB0504AFB1-8 GB0504AFV1-8 GB0504AFV1-8.B2493.GN GB0504AFV3-8B1289.GN GB0507PGV1-A.13.B2467.F.GN GB0535ACB1-8.B2208.GN GB0535ACB1-8.C883.GN GB0535ADB2-8 GB0535ADB3-8 GB0535ADV1-8.B2336.GN GB0535ADV3-8 GB0535AEB1-8 GB0535AEV1-8.B2445.GN