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GB1200036

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • GB1200036
    GB1200036

    GB1200036

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • GB1200036
    GB1200036

    GB1200036

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Pericom

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • GB1200036
    GB1200036

    GB1200036

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • GB1200036
    GB1200036

    GB1200036

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
GB1200036 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
GB1200036 技術參數(shù)
  • GB10SLT12-252 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io） 反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:520pF @ 1V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 GB10SLT12-247D 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:12A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 GB10SLT12-220 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 10A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io） 反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:40μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:520pF @ 1V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:50 GB10SLT12-214 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 制造商:genesic semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 基本零件編號:GB10SLT12 標準包裝:1 GB100XCP12-227 功能描述:IGBT 1200V 100A SOT-227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.55nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GB1205PKV3-8AY GB1205PKV3-8AY.GN GB1206AHV1-A.V1.B2170.GN GB1206PHV1-AY.GN GB1206PHV2-AY.GN GB1206PHV3-AY.GN GB1206PTV2-AY.13.Z.X.GN GB1235PDV3-8.Z.X.GN GB12417 GB1245PKV1-8AY.11.Z.X.GN GB15AH GB15AH-XA GB15AH-XB GB15AH-XC GB15AP GB15AP-XA GB15AP-XB GB15AP-XC
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