- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370294 > FXT553SM TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FXT553SM |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|采用SOT - 89 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | FXT553SM |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT555SM | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| FXT557SM | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO |
| FXT649SM | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
| FXT651SM | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
| FXT653SM | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FXT553STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT553STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT553STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT555 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT555SM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。