參數(shù)資料
型號： FS150R12KT3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT-Module
中文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ECONOPACK-35
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 272K
代理商： FS150R12KT3
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS150R12KT3
prepared by: Mark Münzer
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-4-8
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 150 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
2
4
6
8
10
12
14
16
35
30
25
20
15
10
5
0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,00341
0,0000119
2
0,01039
0,002364
3
0,09061
0,02601
4
0,07559
0,06499
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 2,4 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
350
300
250
200
150
100
50
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
300
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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