| 型號: | FS150R12KF4 |
| 英文描述: | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| 中文描述: | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 150A一(c) |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 231K |
| 代理商: | FS150R12KF4 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS150R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.6KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| FZ1200R16KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 1.2KA I(C) |
| FD400R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) |
| FD600R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
| FF400R12KF4 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FS150R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS150R12KT3_04 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| FS150R12KT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT MODULE 1200V, 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS150R12KT4_B11 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 150A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS150R12KT4_B9 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 150A 1700V |