參數(shù)資料
型號: FS150R12KE3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Module
中文描述: 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-35
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 167K
代理商: FS150R12KE3
Technische Information / technical information
FS150R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
75,59
6,499E-02
90,61
2,601E-02
171,43
2,601E-02
10,39
2,364E-03
19,31
2
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
3,41
1,187E-05
6,43
1,187E-05
4
Z
thJC
= f (t)
3
142,83
6,499E-02
2,364E-03
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
=15V, T
j
=125°C
i
r
i
[K/kW] : IGBT
t
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
t
i
[s] : Diode
1
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
50
100
150
200
250
300
350
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
7 (8)
Datenblatt_FS150R12KE3_V3.xls
2001-08-16
相關PDF資料
PDF描述
FS150R12KT3 IGBT-Module
FS16KM-10 HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16KM-10 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16KM-6 HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS16KM-6 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FS150R12KE3_03 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
FS150R12KE3G 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS150R12KF4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)
FS150R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS150R12KT3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode