參數(shù)資料
型號: FS10KMJ-3
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: HIGH-SPEED SWITCHING USE
中文描述: 高速開關(guān)使用
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商: FS10KMJ-3
Feb.1999
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS10KMJ-3
HIGH-SPEED SWITCHING USE
0
40
80
120
160
200
10
0
3 5 7
2
10
1
3 5 7
2
10
2
3 5 7
2 3
V
GS
= 4V
T
C
= 25
°
C
Pulse Test
10V
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 10V
Pulse Test
10
0
10
1
2
3 4 5 7
10
2
2
3 4 5 7
10
0
10
1
2
3
4
5
7
10
2
2
3
4
5
7
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 10V
Pulse Test
75
°
C
125
°
C
ON-STATE VOLTAGE VS.
GATE-SOURCE VOLTAGE
(TYPICAL)
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
D
V
D
ON-STATE RESISTANCE VS.
DRAIN CURRENT
(TYPICAL)
DRAIN CURRENT I
D
(A)
D
R
D
)
TRANSFER CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
D
D
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE
VS.DRAIN CURRENT
(TYPICAL)
DRAIN CURRENT I
D
(A)
F
A
y
f
(
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
CAPACITANCE VS.
DRAIN-SOURCE VOLTAGE
(TYPICAL)
DRAIN CURRENT I
D
(A)
C
C
S
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
4
6
8
10
T
C
= 25
°
C
Pulse Test
5A
I
D
= 15A
10A
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
5
7
10
0
3 5 7
2
10
1
3 5 7
2
10
2
3 5 7
3
2
Tch = 25
°
C
f = 1MH
Z
V
GS
= 0V
Ciss
Coss
Crss
10
0
10
1
2
3 4 5 7
10
2
2
3 4 5 7
10
1
10
2
2
3
4
5
7
10
3
2
3
4
5
7
T
ch
= 25
°
C
V
DD
= 80V
V
GS
= 10V
R
GEN
= R
GS
= 50
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
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PDF描述
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FS10KM-3 HIGH-SPEED SWITCHING USE
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FS10R06XL4 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 17A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: