參數(shù)資料
型號: FS100R12KT3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: IGBT-Module
中文描述: 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ECONOPACK-35
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 271K
代理商: FS100R12KT3
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
prepared by: Mark Münzer
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-4-8
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehuseabmessungen / package outlines
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FS10AS-3 HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10AS-3 Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
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參數(shù)描述
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FS100R12KT4_B11 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS100R12KT4G 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FS100R12KT4G_B11 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: