參數(shù)資料
型號： FQPF65N06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V N-Channel MOSFET
中文描述： 40 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 681K
代理商： FQPF65N06
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF6N40CF 400V N-Channel MOSFET
FQPF6N50 500V N-Channel MOSFET
FQPF6N70 700V N-Channel MOSFET
FQPF6N90 900V N-Channel MOSFET
FQPF6N15 150V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF65N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF6N15 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF6N25 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF6N40 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.73A I(D) | TO-220F
FQPF6N40C 功能描述:MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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