參數(shù)資料
型號： FQPF5N50CF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 5 A, 500 V, 1.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 657K
代理商： FQPF5N50CF
2
www.fairchildsemi.com
FQPF5N50CF Rev. B
F
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 21.5 mH, I
AS
= 5A, V
DD
= 50V, R
G
= 25
,
Starting T
J
= 25°C
3. I
SD
≤
5A, di/dt
≤
200A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS,
Starting T
J
= 25°C
4. Pulse Test : Pulse width
≤
300
μ
s, Duty cycle
≤
2%
5. Essentially independent of operating temperature
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FQPF5N50CF
FQPF5N50CF
TO-220F
-
-
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
DSS
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
I
D
= 250
μ
A, Referenced to 25°C
500
--
--
V
Breakdown Voltage Temperature Coef-
ficient
--
0.5
--
V/°C
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
--
--
1
μ
A
μ
A
--
--
10
I
GSSF
I
GSSR
Gate-Body Leakage Current, Forward
--
--
100
nA
Gate-Body Leakage Current, Reverse
--
--
-100
nA
On Characteristics
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 2.5A
2.0
--
4.0
V
Static Drain-Source
On-Resistance
--
1.3
1.55
g
FS
Forward Transconductance
V
DS
= 40 V, I
D
= 2.5A
(Note 4)
--
5.2
--
S
Dynamic Characteristics
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
--
480
625
pF
Output Capacitance
--
80
105
pF
Reverse Transfer Capacitance
--
15
20
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn-On Delay Time
V
DD
= 250 V, I
D
= 5A,
R
G
= 25
(Note 4, 5)
--
12
35
ns
Turn-On Rise Time
--
46
100
ns
Turn-Off Delay Time
--
50
110
ns
Turn-Off Fall Time
--
48
105
ns
Total Gate Charge
V
DS
= 400 V, I
D
= 5A,
V
GS
= 10 V
(Note 4, 5)
--
18
24
nC
Gate-Source Charge
--
2.2
--
nC
Gate-Drain Charge
--
9.7
--
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
5
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
20
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 5 A
V
GS
= 0 V, I
S
= 5 A,
dI
F
/ dt = 100 A/
μ
s
(Note 4)
--
--
1.4
V
Reverse Recovery Time
--
65
--
ns
Reverse Recovery Charge
--
0.11
--
μ
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQPF630 200V N-Channel MOSFET
FQPF65N06 60V N-Channel MOSFET
FQPF6N40CF 400V N-Channel MOSFET
FQPF6N50 500V N-Channel MOSFET
FQPF6N70 700V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF5N50CFTU 功能描述:MOSFET N-CH/500V/5A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF5N50CT 功能描述:MOSFET N-CH/500V/5A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF5N50CTTU 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FQPF5N50CYDTU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF5N60 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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